Профессорско - преподавательским составом кафедры выполняются научно-исследовательские работы по 2 проектам в рамках государственной программы в объеме 100 000 000 сумов. Кроме того, в рамках программы RENES была открыта магистратура по специальности “возобновляемые источники энергии и устойчивая физика окружающей среды” и оснащена лабораторной базой.
Во-вторых, готовятся проекты по фундаментальному гранту на тему “Исследование закономерностей распыления ионов с низкой энергией с поверхности монокристаллов типа ОТФ-Ф2-65” А3В5”.
Научные статьи и тезисы, подготовленные в рамках грантов
1. Kutliev U., Karimov M., Sadullaeva B., Otaboev M. Investigation of the ion scattering process from the A3B5 semiconductors by the computer simulation method // COMPUSOFT, An International Journal of Advanced Computer & Engineering Technology. April-2018 (Volume-VII, Issue-IV). - P.2749-1751.
2. Кутлиев У.О., Курбанов М.К., Каримов М.К., Тангриберганов И.У. Отабоева К. Исследование малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Научно–технический журнал ФерПи. 2018. Том 22 .№ 2.- C.19-24.
3. Karimov M. K., Tangriberganov I. U., Qurbanov M. K., Kutliev U. O., Otaboev M. U. Angular and energy distributions of low-energy argon ions at the scattering from AIIIBV semiconductor surface // Actual problems of moderen science, education and training in the region. 2018. II. P.5-16.
4. M Khalilloev, A Atamuratov, A Yusupov Simulation of DIBL effect and sub-threshold swing in low power junctionless MOSFETs with different geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
5. A. E Atamuratov, Z. A Atamuratova, A Yusupov New fast method for reading charge bit stored in MNOSFET // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
6. A. Abdikarimov1, Z A Atamuratova1 and A Yusupov2 Simulation study of short channel effects in low power FinFETs with different body shape and geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
7. Халиллоев М.M., Атамуратов А.Э. Зависимость DIBL эффекта от формы канального слоя в безпереходном МОП- транзисторе // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - б.91-93.
8. М.М. Халиллоев, А.Э. Абдикаримов, З. Атамуратова, Б. Жабборова, А.Э. Атамуратов. Короткоканальные эффекты в безпереходном МОП-транзисторе с различным уровнем легирования и формой базы // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 106-107.
9. Халиллоев М.М., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя в безпереходном МОП-транзисторе на крутизну подпороговой переходной характеристики // Муҳаммад ал-Хоразмий издошлари мавзусидаги Республика илмий-техникавий анжумани – Урганч. 27-28 апрель, 2018. – б.68-69
10. Халиллоев М.М., Атамуратов А.Э. Зависимость крутизны передаточной характеристики от боковых линейных размеров затвора и скрытого оксидного слоя в беспереходном МОП-транзисторе // Физика фанининг ривожида истеъдодли ёшларнинг ўрни РИАК-XI-2018 – Тошкент. 11-12 май, 2018 – б.25-26
11. Халиллоев М.М., Жаббарова Б.О., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя и бокового расширения затвора на пороговое напряжение в безпереходном МОП-транзисторе // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 295-296
12. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Собиров Р. Изучение характерных траектории рассеяных ионов с поверхностью InP(001) при бомбардировке ионами Ar+ и Ne+ // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - Б.36.
13. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Садуллаева Б. Закономерности рассеяния ионов с поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018.- Б.39.
14. Каримов М.К., Кутлиев У.О., Oтабекова У.Э., Отабoева К.У. Энергетические распределения рассеянных ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. -Ташкент. 18-19 мая, 2018.- C.9.
15. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабoева К.У. Малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. - Ташкент. 18-19 мая, 2018. - C.14.
16. Каримов М.К., Матякубов Н.Ш., Отабоев М.У., Кутлиев У.О. Исследования малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001)<110> и <ī10> // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 208.
17. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабоева К. Рассеяния ионов с дефектной поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ҳозирги замон муаммолари республика илмий анжумани.- Ташкент. 26-27 октябрь, 2018. – Б.58-59.
18. Kutliev U.O., Karimov M.K., Otaboeva K.U., Otaboev M.U. Investigation of defect structures of AIIIBV semiconductors by the ion scattering spectroscopy // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 48.
19. Под руководством доцента Ургенчского государственного университета К. Якубова, совместно с научными сотрудниками кафедры физики Д. Курбанова, Р. Базарбаева, магистрами и студентами был организован процесс сборки солнечных панелей. Разработано лабораторное устройство для проверки свойств собранных в лаборатории солнечных панелей в различных климатических условиях. Устройство можно использовать для изучения влияния скорости ветра, температуры и влажности на солнечные батареи. Это устройство помогает определить оптимальные условия работы солнечных батарей. Это устройство призвано преодолеть недостатки своих предшественников. С помощью устройства можно изучать свойства гидрофобных материалов, используемых в солнечных элементах, и влияние пыли.
Профессорско - преподавательским составом кафедры выполняются научно-исследовательские работы по 2 проектам в рамках государственной программы в объеме 100 000 000 сумов. Кроме того, в рамках программы RENES была открыта магистратура по специальности “возобновляемые источники энергии и устойчивая физика окружающей среды” и оснащена лабораторной базой.
Во-вторых, готовятся проекты по фундаментальному гранту на тему “Исследование закономерностей распыления ионов с низкой энергией с поверхности монокристаллов типа ОТФ-Ф2-65” А3В5”.
Научные статьи и тезисы, подготовленные в рамках грантов
1. Kutliev U., Karimov M., Sadullaeva B., Otaboev M. Investigation of the ion scattering process from the A3B5 semiconductors by the computer simulation method // COMPUSOFT, An International Journal of Advanced Computer & Engineering Technology. April-2018 (Volume-VII, Issue-IV). - P.2749-1751.
2. Кутлиев У.О., Курбанов М.К., Каримов М.К., Тангриберганов И.У. Отабоева К. Исследование малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Научно–технический журнал ФерПи. 2018. Том 22 .№ 2.- C.19-24.
3. Karimov M. K., Tangriberganov I. U., Qurbanov M. K., Kutliev U. O., Otaboev M. U. Angular and energy distributions of low-energy argon ions at the scattering from AIIIBV semiconductor surface // Actual problems of moderen science, education and training in the region. 2018. II. P.5-16.
4. M Khalilloev, A Atamuratov, A Yusupov Simulation of DIBL effect and sub-threshold swing in low power junctionless MOSFETs with different geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
5. A. E Atamuratov, Z. A Atamuratova, A Yusupov New fast method for reading charge bit stored in MNOSFET // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
6. A. Abdikarimov1, Z A Atamuratova1 and A Yusupov2 Simulation study of short channel effects in low power FinFETs with different body shape and geometries // International Journal of Applied Science - Research and Review, 2018, Volume: 5 DOI: 10.21767/2394-9988-C1-003
7. Халиллоев М.M., Атамуратов А.Э. Зависимость DIBL эффекта от формы канального слоя в безпереходном МОП- транзисторе // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - б.91-93.
8. М.М. Халиллоев, А.Э. Абдикаримов, З. Атамуратова, Б. Жабборова, А.Э. Атамуратов. Короткоканальные эффекты в безпереходном МОП-транзисторе с различным уровнем легирования и формой базы // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 106-107.
9. Халиллоев М.М., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя в безпереходном МОП-транзисторе на крутизну подпороговой переходной характеристики // Муҳаммад ал-Хоразмий издошлари мавзусидаги Республика илмий-техникавий анжумани – Урганч. 27-28 апрель, 2018. – б.68-69
10. Халиллоев М.М., Атамуратов А.Э. Зависимость крутизны передаточной характеристики от боковых линейных размеров затвора и скрытого оксидного слоя в беспереходном МОП-транзисторе // Физика фанининг ривожида истеъдодли ёшларнинг ўрни РИАК-XI-2018 – Тошкент. 11-12 май, 2018 – б.25-26
11. Халиллоев М.М., Жаббарова Б.О., Атамуратов А.Э. Влияние формы канального слоя и бокового расширения затвора на пороговое напряжение в безпереходном МОП-транзисторе // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 295-296
12. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Собиров Р. Изучение характерных траектории рассеяных ионов с поверхностью InP(001) при бомбардировке ионами Ar+ и Ne+ // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018. - Б.36.
13. Матякубов Н.Ш., Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Садуллаева Б. Закономерности рассеяния ионов с поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ва қайта тикланувчи энергия манбаларини ривожлантиришнинг замонавий муаммолари мавзусида Республика илмий-амалий анжумани.- Андижон. 20-21 апрель, 2018.- Б.39.
14. Каримов М.К., Кутлиев У.О., Oтабекова У.Э., Отабoева К.У. Энергетические распределения рассеянных ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. -Ташкент. 18-19 мая, 2018.- C.9.
15. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабoева К.У. Малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001) // Седьмая Международная конференция по Физической Электронике IPEC-7. - Ташкент. 18-19 мая, 2018. - C.14.
16. Каримов М.К., Матякубов Н.Ш., Отабоев М.У., Кутлиев У.О. Исследования малоугловое рассеяния ионов с поверхностью InP(001)<110> и <ī10> // Материалы международной конференции «Oптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». - Фергана. 25-26 мая, 2018.- C. 208.
17. Каримов М.К., Курбанов М.К., Кутлиев У.О., Отабоева К. Рассеяния ионов с дефектной поверхностью InP(001) при малых углах скольжениях // Яримўтказгичлар физикасининг ҳозирги замон муаммолари республика илмий анжумани.- Ташкент. 26-27 октябрь, 2018. – Б.58-59.
Kutliev U.O., Karimov M.K., Otaboeva K.U., Otaboev M.U. Investigation of defect structures of AIIIBV semiconductors by the ion scattering spectroscopy // Республиканской научно-практической конференции участием зарубежных ученых «Инновационные технологии в науке и образовании». – Нукус. 20-21 ноября, 2018. – С. 48.
2025-11-06
2025-08-24
2025-05-19
2025-04-28
2024-12-15
2024-08-20
2024-05-24
2024-05-20
2024-05-19
